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一种新型有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010774987.8
IPC分类号：H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42;B82Y40/00;B82Y30/00
申请日期：
2020-08-04
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种新型有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法
申请号	CN202010774987.8	申请日期	2020-08-04
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-03	公开/公告号	CN111883671A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕 H01L51/48 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;8;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	贾晓皓;曲胜春;王智杰;刘孔;黄志涛;孙明飞
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	孙蕾

摘要

本发明公开了一种新型有机无机杂化钙钛矿纳米线的制备方法。该方法包括：在衬底上设计制备Au薄膜和PbO2薄膜的混合膜层；将混合膜层置于有机溶液中，在第一预设温度条件下发生反应，生成新型有机无机杂化钙钛矿纳米线；将新型有机无机杂化钙钛矿纳米线进行冲洗，去除新型有机无机杂化钙钛矿纳米线表面附着的溶质；将新型有机无机杂化钙钛矿纳米线在第二预设温度条件下进行退火处理。

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