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半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811096907.7
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336
  • 申请日期:
    2018-09-19
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称半导体装置及其制造方法
申请号CN201811096907.7申请日期2018-09-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-01-18公开/公告号CN109244139A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人朱慧珑
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李永叶
摘要
提供了一种半导体装置及其制造方法。一示例半导体装置可以包括:衬底,包括基底衬底、基底衬底上的第一半导体层以及第一半导体层上的第二半导体层;在衬底上形成的沿同一直线延伸的第一和第二鳍状结构,每一鳍状结构至少包括第二半导体层;在所述直线两侧绕第一和第二鳍状结构形成的第一隔离部;分别基于第一和第二鳍状结构在衬底上形成的第一FinFET和第二FinFET,其中,第一和第二FinFET包括在第一隔离部上形成的分别与第一和第二鳍状结构相交的第一和第二栅堆叠;以及第一和第二鳍状结构之间、与第一和第二鳍状结构相交从而将第一鳍状结构和第二鳍状结构彼此隔离的第二隔离部,其中第二隔离部与第一和第二栅堆叠中至少之一平行延伸。

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