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一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110254377.6
  • IPC分类号:H01L33/06;H01L33/32
  • 申请日期:
    2011-08-31
  • 申请人:
    厦门大学
著录项信息
专利名称一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管
申请号CN201110254377.6申请日期2011-08-31
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2011-12-14公开/公告号CN102280547A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/06IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2查看分类表>
申请人厦门大学申请人地址
福建省厦门市思明南路422号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门大学当前权利人厦门大学
发明人刘宝林;曾凡明;刘威
代理机构厦门南强之路专利事务所代理人马应森;曾权
摘要
一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管,涉及一种半导体发光管。从下至上依次设有衬底层、缓冲层、N型层、有源区、P型层、P金属电极和N金属电极;所述P金属电极连接P型层,N金属电极连接N型层,所述有源区被夹在P型层与N型层之间,所述有源区由包含最少2个层叠周期的势垒层和势阱层重复交替层叠而成,每1个层叠周期包含一层势垒层和一层势阱层,所述势垒层掺入P型掺杂剂。通过引入含P型掺杂剂的势垒层,提高器件有源区的发光效率,优化了器件的光电性能,达到提高氮化镓系化合物半导体发光器件的发光效率的目的。

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