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背接触太阳能电池的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201080066574.9
IPC分类号：H01L31/068;H01L31/18
申请日期：
2010-12-28
申请人：
太阳能公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	背接触太阳能电池的制造方法
申请号	CN201080066574.9	申请日期	2010-12-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-09	公开/公告号	CN102870225A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/068 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕 H01L31/06 以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的为特征的〔2，2012.01〕 H01L31/068 只是PN单质结型势垒的，例如体硅PN单质结太阳能电池或薄膜多晶硅PN单质结太阳能电池〔5，2012.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;6;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	太阳能公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	太阳能公司	当前权利人	太阳能公司
发明人	李波;大卫·史密斯;彼得·卡曾斯
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	陈源;张天舒

摘要

本发明描述了背接触太阳能电池的制造方法及其装置。用于制造背接触太阳能电池的方法包括在布置于衬底上方的材料层上方形成N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层。N型掺杂剂源层与P型掺杂剂源层隔开。对N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层进行加热。随后，在N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层之间在材料层中形成沟槽。

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