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杂质扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810885362.1
  • IPC分类号:H01L21/228;H01L31/18
  • 申请日期:
    2018-08-06
  • 申请人:
    东京应化工业株式会社
著录项信息
专利名称杂质扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法
申请号CN201810885362.1申请日期2018-08-06
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2019-02-26公开/公告号CN109390223A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/228IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;2;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人东京应化工业株式会社申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东京应化工业株式会社当前权利人东京应化工业株式会社
发明人谷津克也
代理机构北京市金杜律师事务所代理人杨宏军;唐峥
摘要
本发明涉及杂质扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法。本发明的课题在于提供能在抑制硼化合物的外部扩散的同时使硼向半导体衬底中良好地扩散的涂布型的杂质扩散剂组合物、和使用该杂质扩散剂组合物在硅衬底的表面上形成杂质扩散层的方法。本发明的解决手段为:在包含(A)硼化合物和(S)溶剂的涂布型的杂质扩散剂组合物中,使用具有特定的部分结构的硼化合物作为(A)硼化合物,并且与(A)硼化合物一同使用(B)硅氧烷化合物。作为(B)硅氧烷化合物,优选倍半硅氧烷。

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