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焊盘形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610087254.0
  • IPC分类号:H01L21/60
  • 申请日期:
    2016-02-16
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称焊盘形成方法
申请号CN201610087254.0申请日期2016-02-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-05-25公开/公告号CN105609438A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/60IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人陈宏;曹子贵;王卉;徐涛
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人吴圳添;吴敏
摘要
一种焊盘形成方法,包括:提供具有顶层金属结构的衬底;在所述顶层金属结构上形成阻挡层;在所述阻挡层层上形成氧化物层;在所述氧化物层上形成钝化层;刻蚀所述钝化层、所述氧化物层和所述阻挡层,直至形成焊盘开口,被所述焊盘开口暴露的所述顶层金属结构成为焊盘;刻蚀所述氧化物层包括第一主刻蚀和第一过刻蚀;刻蚀所述阻挡层包括第二主刻蚀和第二过刻蚀。所述焊盘形成方法提高所形成焊盘的导电性能和外观质量。

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