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一种硅太阳能电池的表面钝化处理方法和系统

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN202010334779.6
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L31/0216
  • 申请日期:
    2020-04-24
  • 申请人:
    一道新能源科技(衢州)有限公司
著录项信息
专利名称一种硅太阳能电池的表面钝化处理方法和系统
申请号CN202010334779.6申请日期2020-04-24
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2020-09-04公开/公告号CN111628044A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6查看分类表>
申请人一道新能源科技(衢州)有限公司申请人地址
浙江省衢州市绿色产业集聚区东港片区百灵南路43号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人一道新能源科技(衢州)有限公司当前权利人一道新能源科技(衢州)有限公司
发明人黄思;刘勇;朴松源
代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司代理人莎日娜
摘要
本申请提供了一种硅太阳能电池的表面钝化处理方法和系统,具体为在经过在先工艺流程处理后的硅片基底上制备氧化硅薄膜;在氧化硅薄膜上制备氧化铝薄膜;在氧化铝薄膜上制备含氢介电材料薄膜。由于氧化硅薄膜能够修复部分硅表面的悬挂键,并且能够作为缓冲层,减少在氧化铝薄膜制备过程中原子的轰击产生的损伤,使硅片基底和钝化层界面具有较低的界面态缺陷密度水平,也就无需通过退火工序降低界面态缺陷密度。由于无需退火工序,从而降低了工艺成本和设备投资,还减少了因工艺复杂程度对大规模量产的良率控制产生的不良影响。

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