预测深亚微米集成电路互连线全开路缺陷电压值的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110417640.9
IPC分类号：G06F17/50
申请日期：
2011-12-13
申请人：
西安交通大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	预测深亚微米集成电路互连线全开路缺陷电压值的方法
申请号	CN201110417640.9	申请日期	2011-12-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-03	公开/公告号	CN102708219A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F17/50 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G06 计算；推算；计数 G06F 电数字数据处理（基于特定计算模型的计算机系统入G06N） G06F17/00 特别适用于特定功能的数字计算设备或数据处理设备或数据处理方法〔6〕 G06F17/50 计算机辅助设计（静态存储的测试电路的设计入G11C 29/54）〔6，8〕	IPC分类号	G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	韦素芬;邵志标;耿莉
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	陆万寿

摘要

本发明公开了一种预测深亚微米集成电路互连线全开路缺陷电压值的方法，该方法在芯片设计阶段准确而高效地确定互连线全开路缺陷点的电压。包括以下步骤：首先建立第一个电压预测模型。在此基础上建立第二个电压预测模型。然后，对疑似存在开路缺陷的金属线，提取它周围信号线的耦合电容值，利用第二个电压预测模型计算出电压逻辑。在可测性设计的自动测试向量生成步骤中，加载与计算出的电压逻辑相反的测试向量，若观测到的开路电压逻辑等于由第二个电压预测模型得到的计算值，则说明此处有全开路缺陷。本发明的有益效果是：建立准确而且在工程上有可行性意义的两个电压模型；并且提出将两个模型结合使用的完整方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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