半导体存储装置和刷新方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510096687.4
IPC分类号：G11C11/401;G11C11/407;H01L27/108
申请日期：
2005-08-31
申请人：
株式会社东芝

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储装置和刷新方法
申请号	CN200510096687.4	申请日期	2005-08-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-04-12	公开/公告号	CN1758374
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/401 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;1;;;G;1;1;C;1;1;/;4;0;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;8查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	大泽隆
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	岳耀锋

摘要

本发明提供一种半导体存储装置和刷新方法，可以提高外部存取的速度。该半导体存储装置包括：需要刷新操作的浮体单元；当从浮体单元读出或写入到浮体单元的外部存取被请求时终止正在进行的刷新操作的刷新控制电路；测量刷新操作开始之后直到随后下一个刷新操作开始之前的第一时段的第一时间测量单元；测量刷新操作所需的第二时段的第二时间测量单元；以及产生刷新操作的浮体单元地址的地址生成器，其中刷新控制电路基于第一和第二时间测量单元的输出和外部存储请求信号来控制刷新操作的时序。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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