一种Ga-Ti掺杂ZnO块体热电材料的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011061240.4
IPC分类号：H01L35/34;H01L35/22;C04B35/453;C04B35/622;C04B35/626
申请日期：
2020-09-30
申请人：
西安理工大学

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著录项信息

专利名称	一种Ga-Ti掺杂ZnO块体热电材料的制备方法
申请号	CN202011061240.4	申请日期	2020-09-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-01-12	公开/公告号	CN112216783A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L35/34 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L35/34 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;5;/;3;4;;;H;0;1;L;3;5;/;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;4;5;3;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;6查看分类表>
申请人	西安理工大学	申请人地址	陕西省西安市碑林区金花南路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安理工大学	当前权利人	西安理工大学
发明人	杨卿;牛瑞;张小红;孙少东;邹军涛;梁淑华
代理机构	西安弘理专利事务所	代理人	张皎

摘要

本发明公开了一种Ga‑Ti掺杂ZnO块体热电材料的制备方法，具体步骤如下：首先按配比称量ZnO、Ga2O3、TiO2粉末，并进行球磨，得到混合粉末；混合粉末过筛后，将所得粉末等静压成型；最后将成型的坯体进行固相烧结，烧结后随炉冷却得到Ga‑Ti掺杂ZnO块体热电材料。本发明工艺易于操作，制备的热电材料致密度高，并满足器件应用中对材料功率因子的要求，为掺杂ZnO热电材料的制备提供了一种简便高效的方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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