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一种自组装单分子层型非掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110255551.2
  • IPC分类号:C07D487/04;C07F9/6561;H01L51/42;H01L51/46
  • 申请日期:
    2021-03-09
  • 申请人:
    嘉兴学院
著录项信息
专利名称一种自组装单分子层型非掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用
申请号CN202110255551.2申请日期2021-03-09
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-27公开/公告号CN113173923A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C07D487/04IPC分类号C;0;7;D;4;8;7;/;0;4;;;C;0;7;F;9;/;6;5;6;1;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6查看分类表>
申请人嘉兴学院申请人地址
浙江省嘉兴市秀洲区康和路1288号光伏科创园2号楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人嘉兴学院当前权利人嘉兴学院
发明人尹新星;李在房;王万海;胡林;宋嘉兴;苏振;金英芝
代理机构杭州斯可睿专利事务所有限公司代理人钦荣燕
摘要
本发明公开了一种自组装单分子层型非掺杂空穴传输材料及其合成方法,以及在倒置钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明以具有刚性共轭大平面的吲哚并咔唑为母核,改善分子堆积并提升材料的空穴传输性能;以羧酸和磷酸基团为末端实现单分子自组装并钝化钙钛矿界面,减少界面处能量损失,提高电池性能。本发明合成方法简单,合成成本低廉,所制备的材料能实现空穴传输和钙钛矿界面钝化双重功能。该材料应用于倒置钙钛矿太阳能电池中作为空穴传输层时,无需掺杂即可获得>1.1V的高开路电压和>19%的光电转化效率,具有广阔的应用前景。

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