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制备卤代硅烷的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201480060354.3
IPC分类号：C07F7/12C07F7/14
申请日期：
2014-10-30
申请人：
道康宁公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制备卤代硅烷的方法
申请号	CN201480060354.3	申请日期	2014-10-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-22	公开/公告号	CN105705507A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C07F7/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C07 有机化学〔2〕 C07F 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物（含金属的卟啉入C07D 487/22；高分子化合物入C08） C07F7/00 含周期表第4或14族元素的化合物 C07F7/02 硅化合物 C07F7/08 具有1个或更多的C-Si键的化合物 C07F7/12 有机卤化硅	IPC分类号	C07F7/12;C07F7/14查看分类表>
申请人	道康宁公司	申请人地址	美国密*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美国陶氏有机硅公司	当前权利人	美国陶氏有机硅公司
发明人	克里什纳·詹姆曼奇;凯瑟琳·霍纳;亚伦·科珀诺尔
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	林高锋

摘要

本发明公开了一种用于制备反应产物的方法，所述方法包括：步骤(1)和(2)。步骤(1)为：在200℃至1400℃的温度下使如下两者接触：包含式HaRbSiX(4‑a‑b)的硅烷的第一成分，其中下标a为0至4的整数，下标b为0或1，量(a+b)<4，每个R独立地为单价有机基团，并且每个X独立地为卤素原子，前提条件是在量(a+b)<4时，则所述成分还包含H2；与包含铜的尖晶石催化剂；从而形成反应物。步骤(2)为：在100℃至600℃的温度下使所述反应物与包含有机卤化物的第二成分接触；从而形成所述反应产物和废反应物。所述反应产物不同于步骤(1)中所用的所述硅烷。所述方法可用于由四卤化硅制备二有机二卤代硅烷。

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