一种无晶体缺陷三元正极材料的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710331400.4
IPC分类号：H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525
申请日期：
2017-05-11
申请人：
绍兴文理学院

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著录项信息

专利名称	一种无晶体缺陷三元正极材料的制备方法
申请号	CN201710331400.4	申请日期	2017-05-11
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-09-26	公开/公告号	CN107204460A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/505 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕 H01M4/48 无机氧化物或氢氧化物的〔2，2010.01〕 H01M4/50 锰的〔2，2010.01〕 H01M4/505 插入或嵌入轻金属且含锰的混合氧化物或氢氧化物，例如LiMn2O4或LiMn2OxFy的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;5;0;5;;;H;0;1;M;4;/;5;2;5;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5查看分类表>
申请人	绍兴文理学院	申请人地址	浙江省绍兴市越城区城南大道900号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	绍兴文理学院	当前权利人	绍兴文理学院
发明人	方泽波;黄俊杰
代理机构	北京华仲龙腾专利代理事务所（普通合伙）	代理人	李静

摘要

本发明公开了一种无晶体缺陷三元正极材料的制备方法，以氯化锂、氯化镍、氯化钴和氯化铝为原材料，以聚乙烯吡咯烷酮作为分散剂、盐酸为酸化剂溶解在蒸馏水中，在氨气曝气反应、蒸发与烘干的方式下得到混合沉淀，然后溶解在无水乙醇中进行密封加压加热反应，并梯度洗涤得到较为纯净的金属离子沉淀，最后在梯度加压烧结中得到三元正极材料。本发明制备的三元正极材料提高了锂离子的嵌入和脱出过程中的效率，同时其循环性能好，成本低廉，原材料来源广泛。

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