一种高线性度CMOS自举采样开关

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201020562558.6
IPC分类号：--
申请日期：
2010-10-09
申请人：
中国电子科技集团公司第五十八研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高线性度CMOS自举采样开关
申请号	CN201020562558.6	申请日期	2010-10-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第五十八研究所	申请人地址	江苏省无锡市滨湖区惠河路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第五十八研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第五十八研究所
发明人	陈珍海;季惠才;黄嵩人;于宗光
代理机构	无锡市大为专利商标事务所	代理人	曹祖良

摘要

本实用新型提供了一种应用于模数转换器的高线性度CMOS自举开关电路，高线性度CMOS自举开关的导通电阻只与电源电压、MOS管载流子迁移率、单位面积栅氧化层电容、MOS管宽长比和MOS管衬偏电压为0时阈值电压有关，在开关导通时的过驱动电压为两倍电源电压。与现有的基本栅压自举开关相比，本实用新型高线性度CMOS自举开关有更好的线性度和更小的导通电阻，具有更快的采样速度，可以采样更高频的信号，非常适合与应用于高速高精度模数转换器中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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