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半导体用镍靶坯热轧方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110286606.2
  • IPC分类号:B21B1/02;C22F1/10
  • 申请日期:
    2011-09-23
  • 申请人:
    宁波江丰电子材料有限公司
著录项信息
专利名称半导体用镍靶坯热轧方法
申请号CN201110286606.2申请日期2011-09-23
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-02-15公开/公告号CN102350439A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B21B1/02IPC分类号B;2;1;B;1;/;0;2;;;C;2;2;F;1;/;1;0查看分类表>
申请人宁波江丰电子材料有限公司申请人地址
浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宁波江丰电子材料股份有限公司当前权利人宁波江丰电子材料股份有限公司
发明人姚力军;潘杰;王学泽;袁海军
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
一种半导体用镍靶坯热轧方法,包括:提供镍锭;对所述镍锭进行热处理;对热处理后的镍锭直接进行压延。本发明技术方案制造出了符合用于制造半导体用镍靶材的镍锭,成品率高,且采用该镍锭制造半导体用镍靶材,溅射镍靶材形成的薄膜的质量较好。

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