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一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910458095.4
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
  • 申请日期:
    2019-05-29
  • 申请人:
    陕西半导体先导技术中心有限公司
著录项信息
专利名称一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件
申请号CN201910458095.4申请日期2019-05-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-08-30公开/公告号CN110190127A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人陕西半导体先导技术中心有限公司申请人地址
陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人陕西半导体先导技术中心有限公司当前权利人陕西半导体先导技术中心有限公司
发明人宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;袁昊;何艳静;何晓宁;韩超
代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘长春
摘要
本发明涉及一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件,包括从下至上依次设置的漏电极、N型掺杂衬底层、N型漂移区和P型基区,其中,所述P型基区上设置有P型源区和N型源区;所述P型基区的内部设置有槽栅结构,所述槽栅结构的底部延伸至所述N型漂移区的内部,所述槽栅结构的顶部延伸出所述P型基区的上表面;所述槽栅结构底部的拐角处设置有掩蔽层结构,所述掩蔽层结构对所述槽栅结构底部的拐角呈包裹状,且未与所述P型基区的下表面接触;所述P型源区和所述N型源区上设置有源电极;所述槽栅结构上设置有栅电极。本发明的碳化硅MOSFET器件,在槽栅结构底部设置了掩蔽层结构,提高了器件的击穿电压。

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