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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种槽栅SOI LIGBT器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810147771.8
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/06
  • 申请日期:
    2008-12-04
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种槽栅SOI LIGBT器件
申请号CN200810147771.8申请日期2008-12-04
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-04-29公开/公告号CN101419981
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市建设北路二段4号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人乔明;罗波;杨帆;刘新新;张波
代理机构成都惠迪专利事务所代理人刘勋
摘要
一种槽栅SOI LIGBT器件,涉及半导体功率器件技术。本发明包括衬底、埋氧层、N型缓冲层、阳极P+区、阳极金属、N型漂移区、场氧化层、金属前介质层、P+区、N+区、多晶硅槽栅、LIGBT器件栅氧化层、P型沟道区、多晶硅槽栅金属和阴极金属,阴极金属与P+区和N+区连接,P+区10位于N+区11和阳极P+区4之间。本发明降低了栅氧化层附近的电场强度,防止了热载流子注入到栅氧中,增强了器件的可靠性。

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