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一种半导体晶圆刻蚀装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201810534802.9
IPC分类号：H01L21/67;H01J37/32
申请日期：
2018-05-29
申请人：
侯玉闯

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体晶圆刻蚀装置
申请号	CN201810534802.9	申请日期	2018-05-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-02	公开/公告号	CN108735633A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	侯玉闯	申请人地址	江苏省苏州市吴中区甪直镇维乐邻里生活广场39幢变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州极普智能科技有限公司	当前权利人	苏州极普智能科技有限公司
发明人	侯玉闯;薛鹏
代理机构	北京华仁联合知识产权代理有限公司	代理人	李冰

摘要

本发明属于半导体晶圆制造技术领域，具体的说是一种半导体晶圆刻蚀装置，包括密闭壳体、静电吸附平台、上电极板、下电极板、环形绝缘保护板、绝缘底座、离子缓冲模块、间隙自动补偿模块和离子抽取模块，本发明通过离子缓冲模块、间隙自动补偿模块和离子抽取模块的相互配合工作，可有效降低或避免等离子体A与下电极板导通后产生电弧放电而击伤下电极板，延长了半导体晶圆刻蚀装置的使用寿命。

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