氮化物半导体结构以及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201280037824.5
IPC分类号：H01L21/20;H01L21/02;H01L21/205;H01L33/32
申请日期：
2012-09-05
申请人：
日本电信电话株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	氮化物半导体结构以及其制作方法
申请号	CN201280037824.5	申请日期	2012-09-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-16	公开/公告号	CN103733308A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2查看分类表>
申请人	日本电信电话株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本电信电话株式会社	当前权利人	日本电信电话株式会社
发明人	小林康之;熊仓一英;赤坂哲也;牧本俊树
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	刘宗杰;吕琳

摘要

本发明的氮化物半导体结构生长出h?BN薄膜或者t?BN薄膜(12)以及纤锌矿型AlxGa1?xN(x＞0)薄膜(14)作为缓冲层，在其上形成单晶纤锌矿型AlGaInBN薄膜(13)。GaN、AlGaN、AlN等为具有sp3键的纤锌矿型结构，相对于此，h?BN、t?BN为具有sp2键的石墨型结构，而晶体结构完全不同。因此，以往没能考虑到能够在石墨型h?BN薄膜上生长纤锌矿型AlGaInBN薄膜。与此相对，当在石墨型氮化硼薄膜(12)上形成纤锌矿型AlxGa1?xN(x＞0)薄膜(14)作为缓冲层时，可以在其上生长出GaN等纤锌矿型AlGaInBN(13)氮化物半导体结构。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供