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一种零点可调高冲击传感器芯片及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201218007731.0
  • IPC分类号:G01P15/12
  • 申请日期:
    2012-12-26
  • 申请人:
    北京理工大学
著录项信息
专利名称一种零点可调高冲击传感器芯片及其制作方法
申请号CN201218007731.0申请日期2012-12-26
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01P15/12IPC分类号G;0;1;P;1;5;/;1;2查看分类表>
申请人北京理工大学申请人地址
北京市海淀区中关村南大街5号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京理工大学当前权利人北京理工大学
发明人张振海;李科杰
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种零点可调高冲击传感器芯片及其制作方法,属于武器装备测试技术领域。利用表面硅加工工艺,在芯片上加工若干组调零排阻和互连线电路,调零排阻和桥臂电阻串联或并联,实现电桥的零点输出的调节。并且每组内的调零排阻之间通过金丝形成电气互连,金丝在压阻条之间键合,根据需要勾断其中的一部分来控制接入桥路的排阻数量,以控制串入或并入补偿的总体阻值,所需的勾断数量由零点输出的不平衡桥压决定。本发明的芯片级调零,减除了设计和配置外围电路的需要,降低了压阻式高冲击传感器电桥平衡电路的复杂性,节省了大量装配空间,易于加工,操作便捷,大大提高了高冲击传感器的实用性。

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