一种用于提高跨阻放大器电源抑制比的增强电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201910036010.3
IPC分类号：H03F1/26;H03F3/08;H03F3/45
申请日期：
2019-01-15
申请人：
电子科技大学

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专利名称	一种用于提高跨阻放大器电源抑制比的增强电路
申请号	CN201910036010.3	申请日期	2019-01-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-17	公开/公告号	CN109768777A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F1/26 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F1/00 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 H03F1/26 为减少由放大元件产生的噪声影响对放大器的改进	IPC分类号	H;0;3;F;1;/;2;6;;;H;0;3;F;3;/;0;8;;;H;0;3;F;3;/;4;5查看分类表>
申请人	电子科技大学	申请人地址	四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	电子科技大学	当前权利人	电子科技大学
发明人	甄少伟;周万礼;章玉飞;胡怀志;路统霄;罗萍;张波
代理机构	成都点睛专利代理事务所（普通合伙）	代理人	葛启函

摘要

一种用于提高跨阻放大器电源抑制比的增强电路，属于激光三维成像中的模拟信号处理领域。由第四PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第一PMOS管组成负反馈环路①，第一NMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管组成正反馈环路②，第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管组成负反馈环路③，负反馈环路③的增益大于正反馈环路②的增益。本发明通过正反馈环路和负反馈环路的共同作用能够稳定跨阻放大器电源端VDDA电压，从而改善跨阻放大器的电源抑制比，进而解决APD阵列读出电路的串扰问题。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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