首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

金属氧化物半导体薄膜晶体管

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201320817992.8
IPC分类号：H01L29/786;H01L29/423
申请日期：
2013-12-13
申请人：
华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	金属氧化物半导体薄膜晶体管
申请号	CN201320817992.8	申请日期	2013-12-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/786 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕 H01L29/786 薄膜晶体管〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司	申请人地址	江苏省苏州市吴江经济开发区同里分区江兴东路555号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华映视讯（吴江）有限公司,中华映管股份有限公司	当前权利人	华映视讯（吴江）有限公司,中华映管股份有限公司
发明人	戴谦邦;黄隽尧;彭郁芩;黄科铨
代理机构	上海汉声知识产权代理有限公司	代理人	胡晶

摘要

一种金属氧化物半导体薄膜晶体管，包含源极及漏极、金属氧化物半导体层、栅极、第一栅绝缘层及第二栅绝缘层。金属氧化物半导体层接触源极的一部分及漏极的一部分。第一栅绝缘层位于金属氧化物半导体层与栅极之间，并且接触栅极。第二栅绝缘层位于金属氧化物半导体层与栅极之间，并且接触金属氧化物半导体层。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供