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利用沉积刻蚀序列的间隙填充处理

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200680030938.1
  • IPC分类号:H01L21/31
  • 申请日期:
    2006-06-15
  • 申请人:
    应用材料公司;松下电器产业株式会社
著录项信息
专利名称利用沉积刻蚀序列的间隙填充处理
申请号CN200680030938.1申请日期2006-06-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-10-01公开/公告号CN101278380
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/31
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1查看分类表>
申请人应用材料公司;松下电器产业株式会社申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人应用材料公司当前权利人应用材料公司
发明人曼杰·维莱卡尔;赫曼特·P·芒格卡;扬·S·李;奥野康利;汤浅浩
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司代理人赵飞
摘要
提供了一种在置于衬底处理室中的衬底上沉积膜的方法所述衬底具有形成在相邻的凸起表面之间的间隙将第一前驱体沉积气体流提供到所述衬底处理室。由所述第一前驱体沉积气体流形成第一高密度等离子体,以利用同时具有沉积和溅射分量的第一沉积处理在所述衬底上和所述间隙内沉积所述膜的第一部分,直到所述间隙闭合之后为止。将所述膜的所述第一部分回蚀足够的部分,以使得所述间隙重新开口。将第二前驱体沉积气体流提供到所述衬底处理室。由所述第二前驱体沉积气体流形成第二高密度等离子体,以利用同时具有沉积和溅射分量的第二沉积处理在所述衬底上和所述重新开口的间隙内沉积所述膜的第二部分。

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