一种低损耗铁硅磁粉芯的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011525847.3
IPC分类号：H01F1/147;H01F1/26;H01F41/02;B22F1/00;B22F3/02;B22F3/10;B22F3/24;B22F9/08;C22C33/04;C22C38/24;C22C38/34
申请日期：
2020-12-22
申请人：
湖州浩通电子科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种低损耗铁硅磁粉芯的制备方法
申请号	CN202011525847.3	申请日期	2020-12-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-19	公开/公告号	CN112530656A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F1/147 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F1/00 按所用磁性材料区分的磁体或磁性物体；磁性材料的选择 H01F1/01 无机材料的（H01F 1/44优先）〔6〕 H01F1/03 按其矫顽力区分的〔6〕 H01F1/12 软磁材料的〔6〕 H01F1/14 金属或合金〔6〕 H01F1/147 按成分区分的合金〔5，6〕	IPC分类号	H;0;1;F;1;/;1;4;7;;;H;0;1;F;1;/;2;6;;;H;0;1;F;4;1;/;0;2;;;B;2;2;F;1;/;0;0;;;B;2;2;F;3;/;0;2;;;B;2;2;F;3;/;1;0;;;B;2;2;F;3;/;2;4;;;B;2;2;F;9;/;0;8;;;C;2;2;C;3;3;/;0;4;;;C;2;2;C;3;8;/;2;4;;;C;2;2;C;3;8;/;3;4查看分类表>
申请人	湖州浩通电子科技有限公司	申请人地址	浙江省湖州市南浔区双林镇勤裕村横埭变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖州浩通电子科技有限公司	当前权利人	湖州浩通电子科技有限公司
发明人	蒋庆林
代理机构	北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司	代理人	陈明辉

摘要

本发明公开了一种低损耗铁硅磁粉芯的制备方法，包括以下步骤：合金熔炼、破碎、分筛、表面处理、绝缘包覆、加润滑剂、压制成型、热处理和表面涂层处理；其中，分筛过程中采用‑325目：‑250目：‑120目=2：3：1的质量比进行粉料配比；热处理完成后对磁粉芯表面进行涂层处理。本发明的低损耗铁硅磁粉芯的主要成分为二元系铁硅合金并添加0.22‑0.25%的铬元素和0.08‑0.15%的钒，硅6.7‑7.0%，余量为铁。本发明制备的铁硅磁粉芯，饱和磁通密度可以达到1.6T以上，其50kHz，500Gs体积比损耗Pcv可以低至125‑135mW/cm³，本发明的铁硅磁粉芯具有高饱和磁通密度低损耗的优点。

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