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一种用于等离子体处理装置的载片台

发明专利有效专利

申请号：
CN201110456419.4
IPC分类号：H01J37/04;H01J37/20
申请日期：
2011-12-30
申请人：
中微半导体设备（上海）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种用于等离子体处理装置的载片台
申请号	CN201110456419.4	申请日期	2011-12-30
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-03	公开/公告号	CN103187224A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/02 零部件 H01J37/04 电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置，如电子光学装置，离子光学装置	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;0;4;;;H;0;1;J;3;7;/;2;0查看分类表>
申请人	中微半导体设备（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司	当前权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司
发明人	陶铮;凯文·佩尔斯;松尾裕史
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	王洁

摘要

本发明提供了载片台及包括该载片台的等离子体处理机台，其中，所述基片位于所述载片台上方，所述载片台包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，其中设置有一个或多个真空空洞；静电吸盘，其位于所述第一电极上方，用于夹持基片。本发明能够提高基片制程均一性。

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