加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

超低电容瞬态电压抑制器件

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201120519678.2
  • IPC分类号:H01L27/08
  • 申请日期:
    2011-12-13
  • 申请人:
    杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
著录项信息
专利名称超低电容瞬态电压抑制器件
申请号CN201120519678.2申请日期2011-12-13
法律状态放弃专利权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/08IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;8查看分类表>
申请人杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司申请人地址
浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州士兰集成电路有限公司,杭州士兰微电子股份有限公司当前权利人杭州士兰集成电路有限公司,杭州士兰微电子股份有限公司
发明人张常军;李昕华;陈向东
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人陈亮
摘要
本实用新型提供了一种超低电容瞬态电压抑制器件,包括:P+半导体衬底;P-外延层,位于P+半导体衬底上;P+隔离区,形成于P-外延层中并延伸至P+半导体衬底;TVS管N区,位于P+隔离区中;TVS管P区,与TVS管N区并列位于P+隔离区中;N-阱,位于P+隔离区之间的P-外延层中;上二极管P区,位于N-阱中;上二极管N区,与上二极管P区并列位于N-阱中;下二极管N区,位于P+隔离区之间的P-外延层中;下二极管P区,与下二极管N区并列位于P-外延层中;互连结构,位于P-外延层上。本实用新型能将上、下二极管和TVS管都集成在同一芯片上,实现低成本和高性能。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供