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一种高深宽比TSV金属柱的电镀工艺

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110435726.8
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2021-04-22
  • 申请人:
    浙江集迈科微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种高深宽比TSV金属柱的电镀工艺
申请号CN202110435726.8申请日期2021-04-22
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-23公开/公告号CN113161289A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人浙江集迈科微电子有限公司申请人地址
浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江集迈科微电子有限公司当前权利人浙江集迈科微电子有限公司
发明人冯光建;莫炯炯;顾毛毛;郭西;高群
代理机构无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙)代理人屠志力
摘要
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种高深宽比TSV金属柱的电镀工艺。本发明高深宽比TSV金属柱的电镀工艺包括以下步骤:在硅片的上下表面分别制作第一TSV盲孔和第二TSV盲孔,第一TSV盲孔与第二TSV盲孔之间有硅材质或钝化层隔离;在硅片的表面和TSV盲孔侧壁形成钝化层,然后在硅片的一面和第一TSV盲孔侧壁沉积种子层;干法刻蚀钝化层,然后将种子层作为导电层继续在硅片表面和TSV盲孔中电镀金属层,退火后抛光所述硅片双面的金属层,得到TSV盲孔填满金属柱的双孔互联的硅片结构,能够方便地制备具有高深宽比TSV金属柱的转接板,为制备具有较深TSV结构的转接板提供了一种新思路。

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