一种表面增强拉曼有序复合阵列芯片的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710726306.9
IPC分类号：G01N21/65;H01L21/208;H01L21/3205
申请日期：
2017-08-22
申请人：
中国工程物理研究院化工材料研究所

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专利名称	一种表面增强拉曼有序复合阵列芯片的制备方法
申请号	CN201710726306.9	申请日期	2017-08-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-05	公开/公告号	CN107543813A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/65 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/62 所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统〔3〕 G01N21/63 光学激发的〔3〕 G01N21/65 喇曼散射〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;0;5查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院化工材料研究所	申请人地址	四川省绵阳市绵山路64号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院化工材料研究所	当前权利人	中国工程物理研究院化工材料研究所
发明人	何璇;刘渝;王慧
代理机构	四川省成都市天策商标专利事务所	代理人	刘兴亮;刘渝

摘要

本发明公开了一种表面增强拉曼有序复合阵列芯片的制备方法，它首先以光刻法结合深硅刻蚀技术，在硅片上刻蚀一定排列方式的纳米硅柱阵列；然后以纳米硅柱阵列为模板，通过原子层沉积法均匀制备ZnO薄膜；接着用水浴法组装一定形状的纳米氧化锌片硅柱阵列，退火处理后，磁控溅射纳米银构筑复合芯片，得到超灵敏表面增强拉曼有序复合阵列芯片。本发明的制备方法简单、工艺稳定；制备得到的表面增强拉曼散射芯片灵敏度高、选择性好、能满足痕量炸药检测。

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