一种Ga2O3薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010597141.1
IPC分类号：H01L21/02;H01L31/032;C23C16/40
申请日期：
2020-06-28
申请人：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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著录项信息

专利名称	一种Ga2O3薄膜及其制备方法
申请号	CN202010597141.1	申请日期	2020-06-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-25	公开/公告号	CN111710591A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0查看分类表>
申请人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	申请人地址	吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	当前权利人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人	陈星;刘可为;申德振;李炳辉;张振中
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李伟

摘要

本发明提供了一种Ga2O3薄膜的制备方法，包括以下步骤：以有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气作为氧源，利用金属有机化学气相沉积法在衬底表面进行沉积，降温后得到Ga2O3薄膜；在Ga2O3薄膜生长的过程中间歇补充有机镁化合物。本申请还提供了上述制备方法所制备的Ga2O3薄膜，Ga2O3薄膜中掺杂微量镁。本申请通过对制备Ga2O3薄膜中有机镁化合物的通入时机和通入时间的控制，实现了微量镁掺杂的Ga2O3薄膜的制备，其为实现高性能日盲紫外光探测器提供了便捷有效的手段。

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