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非接触磁感应式颅内压监测装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210502749.7
  • IPC分类号:A61B5/03
  • 申请日期:
    2012-11-30
  • 申请人:
    中国人民解放军第三军医大学生物医学工程与医学影像学院
著录项信息
专利名称非接触磁感应式颅内压监测装置
申请号CN201210502749.7申请日期2012-11-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-03-20公开/公告号CN102973260A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号A61B5/03IPC分类号A;6;1;B;5;/;0;3查看分类表>
申请人中国人民解放军第三军医大学生物医学工程与医学影像学院申请人地址
重庆市沙坪坝区高滩岩正街30号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国人民解放军第三军医大学生物医学工程与医学影像学院当前权利人中国人民解放军第三军医大学生物医学工程与医学影像学院
发明人秦明新;金贵;孙建;郭万有;席安安;徐林;宁旭;许佳
代理机构重庆志合专利事务所代理人胡荣珲
摘要
本发明涉及一种非接触磁感应颅内压监测装置,包括用于生成激励信号和参考信号的激励源;以及一个环绕在被测头颅周围的磁感应检测装置,该磁感应检测装置连接于所述激励源输出端,根据激励源提供的激励信号产生交变的激励磁场信号,激励磁场信号穿过整个被测头颅,激励磁场信号和二次磁场信号叠加在一起形成一个相对于参考信号发生相位改变的叠加磁场信号;以及鉴相器,鉴相器对所述参考信号和叠加磁场信号的相位差进行检测,该相位差用于反映颅内容物对颅腔壁产生的压力变化。本发明可克服脑早期病变引起ICP升高时,有脑脊液和脑血流动力学的调节作用,使ICP升高不大,导致直接ICP监测无法敏感地反映早期病变的改变的缺陷。

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