加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810275599.8
  • IPC分类号:H01L27/115;H01L27/11551;H01L27/11578
  • 申请日期:
    2018-03-30
  • 申请人:
    爱思开海力士有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN201810275599.8申请日期2018-03-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-02-15公开/公告号CN109346469A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/115
?
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人爱思开海力士有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人爱思开海力士有限公司当前权利人爱思开海力士有限公司
发明人朴海赞;金在泽
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人李辉;刘久亮
摘要
半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括设置在基板上的层叠结构,该层叠结构包括牺牲层和绝缘层交替地层叠的第一区域以及导电层和绝缘层交替地层叠的第二区域。该层叠结构还包括设置在第一区域与第二区域之间的边界处的第一狭缝绝缘层,其中,该第一狭缝绝缘层穿透层叠结构并在一个方向上延伸。该层叠结构还包括设置在第二区域中的多个狭缝绝缘图案,其中,所述多个狭缝绝缘图案穿透层叠结构并沿着所述一个方向布置。导电层当中的至少一个导电层在第一狭缝绝缘层与狭缝绝缘图案之间弯曲。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供