一种涡流膜厚传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN202211159609.4
IPC分类号：G01B7/06
申请日期：
2022-09-22
申请人：
中国工程物理研究院材料研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种涡流膜厚传感器
申请号	CN202211159609.4	申请日期	2022-09-22
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-22	公开/公告号	CN115371538A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01B7/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01B 长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量 G01B7/00 以采用电或磁的方法为特征的计量设备 G01B7/02 用于计量长度、宽度或厚度（G01B 7/004，G01B 7/12优先）〔6〕 G01B7/06 用于计量厚度	IPC分类号	G;0;1;B;7;/;0;6查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院材料研究所	申请人地址	四川省绵阳市江油市华丰新村9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院材料研究所	当前权利人	中国工程物理研究院材料研究所
发明人	刘政豪;奚清;张玮
代理机构	北京高沃律师事务所	代理人	万慧华

摘要

本发明公开了一种涡流膜厚传感器，涉及无损检测技术领域。该传感器包括激励线圈、对消线圈、磁传感器、激励电路和驱动分析电路，其中，激励线圈位于待测样品的上方，用于产生激励磁场；对消线圈与激励线圈串联连接，且与激励线圈同轴，用于产生对消磁场；磁传感器位于激励线圈与对消线圈之间，用于测量待测样品、激励线圈与对消线圈之间的磁感应强度信号；激励电路分别与激励线圈和对消线圈连接，用于产生激励信号；驱动分析电路分别与激励电路和磁传感器连接，用于根据激励信号和磁感应强度信号确定待测样品的膜厚。本发明能够降低涡流膜厚测量对设备动态范围的要求，使磁传感器的高灵敏性能可以充分发挥，因此可以大幅提高膜厚分辨能力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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