布线结构和包括该布线结构的垂直存储器装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202110061098.1
IPC分类号：H01L27/11563;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L23/535
申请日期：
2021-01-18
申请人：
三星电子株式会社

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著录项信息

专利名称	布线结构和包括该布线结构的垂直存储器装置
申请号	CN202110061098.1	申请日期	2021-01-18
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-20	公开/公告号	CN113140572A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11563 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11563 具有电荷俘获栅极绝缘层的，例如，MNOS，NROM〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;3;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;3;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;5查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	李正吉;金硕埙;朴成明;李赞扬;朴皓年
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	赵南;张青

摘要

一种布线结构包括衬底上的第一金属图案至第三金属图案。第一金属图案在第二方向上延伸，并且在第三方向上具有第一宽度。第二金属图案在第三方向上延伸以与第一金属图案交叉，并且在第二方向上具有第二宽度。第三金属图案在第一金属图案和第二金属图案彼此交叉的区域处连接到第一金属图案和第二金属图案，并且具有在每个角中具有凹部的实质上矩形形状。第三金属图案具有第三宽度，其被定义为凹部中的在与第二方向和第三方向成锐角的第四方向上的相对的凹部之间的最小距离，第三宽度小于或等于第一宽度和第二宽度中更小的一个。

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