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碲镉汞钝化膜层工艺参数确定方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201910933839.3
IPC分类号：H01L21/66;H01L31/18;C23C14/35
申请日期：
2019-09-29
申请人：
中国电子科技集团公司第十一研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	碲镉汞钝化膜层工艺参数确定方法及装置
申请号	CN201910933839.3	申请日期	2019-09-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-07	公开/公告号	CN110660697A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/66 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/66 在制造或处理过程中的测试或测量〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第十一研究所	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路4号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第十一研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第十一研究所
发明人	祁娇娇;宁提;谭振
代理机构	工业和信息化部电子专利中心	代理人	秦莹

摘要

本发明公开了一种碲镉汞钝化膜层工艺参数确定方法及装置，所述方法包括：分别将膜层沉积系统的各工艺参数作为唯一变量，在衬底溅射一层或多层化学膜层；对所述化学膜层进行折射率测试，获取所述化学膜层的折射率随各工艺参数的变化曲线，并根据所述变化曲线获取所述化学膜层的折射率最大点对应的各个工艺参数的数值；将所述数值作为膜层沉积系统沉积所述化学膜层时的工艺参数。

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