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一种小线宽沟道的制备方法及其应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110164570.0
  • IPC分类号:H01L51/40;D01D5/00
  • 申请日期:
    2011-06-17
  • 申请人:
    华中科技大学
著录项信息
专利名称一种小线宽沟道的制备方法及其应用
申请号CN201110164570.0申请日期2011-06-17
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2011-10-19公开/公告号CN102222770A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/40IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;4;0;;;D;0;1;D;5;/;0;0查看分类表>
申请人华中科技大学申请人地址
广东省广州市中新广州知识城凤凰三路17号自编五栋388 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东聚华印刷显示技术有限公司当前权利人广东聚华印刷显示技术有限公司
发明人黄永安;尹周平;王小梅;易海涛
代理机构华中科技大学专利中心代理人李佑宏
摘要
本发明提供了一种用于有机薄膜晶体管的小沟道的制备方法,包括(1)在有机薄膜晶体管器件的有机半导体层的沟道区印刷一条有机水溶性材料纤维;(2)待纤维固化后,将疏水性电极材料溶液对准纤维进行沉积,从而在纤维两侧形成电极图案,作为有机薄膜晶体管的源极和漏极;(3)电极图案固化后,放入水或水性溶剂中,使所述有机水溶性材料纤维将溶于水,即可在有机半导体层的沟道区形成宽度与所述纤维直径相同的沟道。本发明还提供了上述方法在制备有机薄膜晶体管(OTFT)。本发明的方法可以用来制造薄膜晶体管源极和漏极之间的小线宽沟道,可实现亚微米/纳米尺度的沟道宽度,极大地提高了OTFT器件的性能。

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