高压结晶成长装置及其相关方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610137988.1
IPC分类号：B01J3/06
申请日期：
2005-01-12
申请人：
宋健民

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法律信息

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著录项信息

专利名称	高压结晶成长装置及其相关方法
申请号	CN200610137988.1	申请日期	2005-01-12
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-06-06	公开/公告号	CN1973982
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B01J3/06 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B0 分离；混合 B01 一般的物理或化学的方法或装置 B01J 化学或物理方法，例如，催化作用或胶体化学；其有关设备〔2〕 B01J3/00 利用低于或高于大气压力使物质发生化学或物理变化的方法；其有关设备（用于盛装或贮存压缩、液化或固化气体的压力容器入F17C）〔1，2，2006.01〕 B01J3/06 应用超高压方法，例如，用于生成金刚石；其设备，例如塑模或挤压模（B01J3/04优先）〔2〕	IPC分类号	B;0;1;J;3;/;0;6查看分类表>
申请人	宋健民	申请人地址	台湾省台北县淡水镇中正路32巷4号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宋健民	当前权利人	宋健民
发明人	宋健民
代理机构	中国商标专利事务所有限公司	代理人	万学堂

摘要

使用温度梯度法可高压合成诸如钻石、立体氮化硼cBN等各种晶体，其中在施加高压期间该反应总成(210)被定位成大体上与重力(224)垂直。以这种方式定位反应总成(210)可避免重力对熔融催化剂的有害影响，例如对流，因此可增加生长高品质晶体的有效体积。可将多个反应总成以串联或并联的方式定位，每个反应总成具有一个或多个适合于高品质晶体生长的生长单元。本发明独特的分裂组合模设计对个别晶体温度和生长条件具有特别显著的效果和控制。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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