半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统

发明专利无效专利

申请号：
CN200710170724.0
IPC分类号：G01N21/59
申请日期：
2007-11-21
申请人：
中国科学院上海技术物理研究所

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著录项信息

专利名称	半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统
申请号	CN200710170724.0	申请日期	2007-11-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-04-30	公开/公告号	CN101169370
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/59 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/17 入射光根据所测试的材料性质而改变的系统（其中所测试的材料因受到光学激发而引起入射光波长改变的入G01N 21/63）〔3〕 G01N21/59 透射率（G01N 21/25优先）〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;5;9查看分类表>
申请人	中国科学院上海技术物理研究所	申请人地址	上海市玉田路500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海技术物理研究所	当前权利人	中国科学院上海技术物理研究所
发明人	苏志国;许金通;张文静;胡其欣;袁永刚;李向阳;刘骥
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	郭英

摘要

本发明公开了一种半导体薄膜材料紫外透过率均匀性测试系统，它用于对半导体薄膜材料透过率均匀性的检测。测试系统由光源、单色仪、光学系统、二维步进扫描装置、信号接收装置、数据处理设备和计算机组成。系统利用紫外波段半导体外延材料的透射率在其吸收边附近极为灵敏的特性，通过对其吸收边附近相应波长时透射率的面分布的测试及分析，可以对材料的均匀性做出定量分析和评价。

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