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三维存储器及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110991370.6
  • IPC分类号:H01L27/1157;H01L27/11582
  • 申请日期:
    2021-08-26
  • 申请人:
    长江存储科技有限责任公司
著录项信息
专利名称三维存储器及其制作方法
申请号CN202110991370.6申请日期2021-08-26
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-30公开/公告号CN113725228A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/1157
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;8;2查看分类表>
申请人长江存储科技有限责任公司申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长江存储科技有限责任公司当前权利人长江存储科技有限责任公司
发明人王伟哲
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人王晓玲
摘要
本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该制作方法包括:提供表面具有堆叠体的衬底,堆叠体包括沿远离衬底的方向交替层叠的牺牲层和隔离层,在堆叠体中形成贯穿至衬底的沟道通孔,沟道通孔具有第一侧壁;顺序形成覆盖第一侧壁的功能层和沟道层,沟道层位于功能层远离第一侧壁的一侧;形成覆盖第一侧壁顶部的保护层,并在沟道通孔中原子层沉积介电材料,以形成介电填充层,且沟道层和功能层顺序环绕介电填充层,以形成沟道结构。由于在原子层沉积介电材料之前,先形成覆盖第一侧壁顶部的保护层,从而能够通过该保护层防止原子层沉积工艺中抑制气体对沟道侧壁顶部的影响,避免了位于侧壁顶部的沟道层和功能层被破损,进而保证了器件性能。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供