具有铁电膜的半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03801080.1
IPC分类号：H01L27/115;H01L21/8246
申请日期：
2003-06-11
申请人：
株式会社东芝;英芬能技术公司

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著录项信息

专利名称	具有铁电膜的半导体器件及其制造方法
申请号	CN03801080.1	申请日期	2003-06-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-01-18	公开/公告号	CN1723562
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/115 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;6查看分类表>
申请人	株式会社东芝;英芬能技术公司	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝,英芬能技术公司	当前权利人	株式会社东芝,英芬能技术公司
发明人	金谷宏行;安德里亚斯·希利格
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	李德山

摘要

在TC并行单元串联连接铁电存储器中，在半导体衬底(11)上形成层间绝缘膜(15，16)，以覆盖第一和第二半导体区(12)以及栅电极(14)。在层间绝缘膜(16)上形成铁电电容器的第一和第二下电极(18A，18B)。在层间绝缘膜中形成第一接触塞(21A)，接触第一下电极。在层间绝缘膜中形成第二接触塞(21B)，接触第二下电极。第一和第二接触塞连接到埋置的互联(22)，该互联(22)由第三接触塞(23)连接到所述半导体区中的一个。在另一个实施例中，第一到第三接触塞以及所述埋置的互联被单一的接触塞(36)所取代。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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