加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

埋层终端结构及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110695201.8
  • IPC分类号:H01L29/40;H01L29/06
  • 申请日期:
    2021-06-22
  • 申请人:
    珠海市浩辰半导体有限公司
著录项信息
专利名称埋层终端结构及其制备方法
申请号CN202110695201.8申请日期2021-06-22
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-27公开/公告号CN113314600A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/40IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人珠海市浩辰半导体有限公司申请人地址
广东省珠海市高新区唐家湾镇软件园路1号会展中心1#四层5单元 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人珠海市浩辰半导体有限公司当前权利人珠海市浩辰半导体有限公司
发明人李伟聪;林泳浩;姜春亮;王雯沁
代理机构深圳市嘉勤知识产权代理有限公司代理人刘自丽
摘要
本申请公开一种埋层终端结构及其制备方法,其中,埋层终端结构包括N‑型半导体漂移区,N‑型半导体漂移区包括P型半导体场限环、P‑型半导体埋层和N+型半导体场限环,P‑型半导体埋层中的掺杂离子的浓度小于P型半导体场限环中的掺杂离子的浓度;绝缘介质层,设于N‑型半导体漂移区的上表面,分别与P型半导体场限环的部分上表面、P‑型半导体埋层的部分上表面和N+型半导体场限环的部分上表面接触,与P‑型半导体埋层的接触区设有接触孔;第一场板,通过接触孔与P‑型半导体埋层接触。本申请可以使埋层终端结构在高温下不容易击穿,可靠性和稳定性更好。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供