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一种晶圆键合力的检测方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711350729.1
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2017-12-15
  • 申请人:
    武汉新芯集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称一种晶圆键合力的检测方法
申请号CN201711350729.1申请日期2017-12-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-06-01公开/公告号CN108109932A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉新芯集成电路制造有限公司当前权利人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人彭侃;张伟光
代理机构上海申新律师事务所代理人俞涤炯
摘要
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶圆键合力的检测方法,其中,包括:步骤S1,提供表面制备有一键合面结构的一第一晶圆;步骤S2,采用一等离子工艺对第一晶圆的键合面结构进行轰击;步骤S3,采用热波采集设备采集经过轰击的第一晶圆的表面发出的热波;步骤S4,根据采集得到的热波的情况判断第一晶圆具有的键合力;能够稳定且有效地测量得到参与键合的晶圆具有的键合力,同时不会造成受测量的晶圆的报废,成本低廉。

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