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用于迁移率谱仪中迁移管的电极结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810114816.1
  • IPC分类号:G01N27/62;H01J49/00
  • 申请日期:
    2008-06-12
  • 申请人:
    同方威视技术股份有限公司;清华大学
著录项信息
专利名称用于迁移率谱仪中迁移管的电极结构
申请号CN200810114816.1申请日期2008-06-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-12-16公开/公告号CN101603943
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/62IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;6;2;;;H;0;1;J;4;9;/;0;0查看分类表>
申请人同方威视技术股份有限公司;清华大学申请人地址
北京市海淀区双清路同方大厦A座2层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人同方威视技术股份有限公司,清华大学当前权利人同方威视技术股份有限公司,清华大学
发明人陈志强;李元景;彭华;张清军;林津;毛绍基;代主得;曹士娉;张仲夏;张阳天;林德旭;王清华;王少锋;李徽
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人王波波
摘要
公开了一种用于迁移率谱仪中迁移管的电极结构,包括:圆环状的电极,其中所述圆环状电极的两个圆环面在靠近内缘的至少一部分被形成为锥面,并且所述锥面与圆环状电极的中心轴所形成的角度不同。根据本发明实施例的电极结构能够有效地消除或减小空间电荷在迁移管中的积累。此结构尤其适用于迁移管内电场强度较低或通过大量离子时。同时,在保持迁移管内径不变的条件下,这种结构允许大幅度地缩减电极的外径,从而能够有效地缩小迁移管的外形尺寸,达到减小IMS的目的。

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