加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510016502.4
  • IPC分类号:C04B35/622;C04B35/515
  • 申请日期:
    2005-01-05
  • 申请人:
    中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
著录项信息
专利名称用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法
申请号CN200510016502.4申请日期2005-01-05
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-07-12公开/公告号CN1800098
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/622IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;5;1;5查看分类表>
申请人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请人地址
吉林省长春市东南湖大路16号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所当前权利人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人王岩松;范翊;罗劲松;张立功
代理机构长春菁华专利商标代理事务所代理人南小平
摘要
本发明属于电子材料技术领域,是一种用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法。采用高温热裂解聚合物前驱体法,具体步骤是:选取二乙烯基二氯硅烷和乙硼烷的乙醚溶液作为起始原料,化学合成聚合物前驱体;固化、交联,生成固态聚合物;通过球磨,将固态聚合物研磨成粉末;把固态聚合物粉末压成片状,在高温下烧结,使聚合物热解为Si-B-C-N非晶陶瓷。本发明选用的起始原料很普遍,价格比用其它原料低很多,生产成本较低;硼的掺杂效果很好,硼的含量也比较容易控制,制备出的产品性能良好;工艺简单,实验条件容易实现,适用于大规模生产。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供