一种基于无机绝缘层改性的储能聚合物复合薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010704512.1
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/10
申请日期：
2020-07-21
申请人：
哈尔滨理工大学

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专利名称	一种基于无机绝缘层改性的储能聚合物复合薄膜及其制备方法
申请号	CN202010704512.1	申请日期	2020-07-21
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-30	公开/公告号	CN111850493A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;1;0查看分类表>
申请人	哈尔滨理工大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨理工大学	当前权利人	哈尔滨理工大学
发明人	张天栋;戚振飞;张昌海;迟庆国
代理机构	哈尔滨市伟晨专利代理事务所（普通合伙）	代理人	赵君

摘要

一种基于无机绝缘层改性的储能聚合物复合薄膜及其制备方法，它属于电介质电容器储能复合材料领域。本发明要解决的技术问题为聚合物介质储能性能低和击穿特性差。本发明由聚合物薄膜作为中间层、无机绝缘层作为顶层和底层所构成。首先采用流延法制备PMMA聚合物薄膜，然后利用磁控溅射方法在PMMA聚合物薄膜上下表面沉积生长等厚度的致密均匀SiO2绝缘层，制得基于无机绝缘层改性的储能聚合物复合薄膜。本发明引入SiO2绝缘层显著改善PMMA聚合物薄膜的储能性能，具有更高极化强度、储能效率和击穿场强，有望作为一种解决电介质电容器应用与推广技术难题的新型材料。本发明制备工艺的成本较低，实施较易，环保性好。

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