首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

基于二维钙钛矿单晶的核辐射探测器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010842131.X
  • IPC分类号:H01L51/42H01L51/46H01L51/48
  • 申请日期:
    2020-08-20
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称基于二维钙钛矿单晶的核辐射探测器及其制备方法
申请号CN202010842131.X申请日期2020-08-20
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2020-11-13公开/公告号CN111933803A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/42IPC分类号H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市太白南*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人常晶晶;林珍华;赵鹏;苏杰;欧阳晓平;郝跃
代理机构陕西电子工业专利中心代理人暂无
摘要
本发明公开了一种基于二维钙钛矿单晶的核辐射探测器及制备方法,主要解决现有技术载流子迁移率低,暗电流大和电荷传输性能差的问题,其自下而上依次包括前电极(1)、钙钛矿吸收层(2)、背电极(3)。该钙钛矿吸收层采用厚度为1~10mm的二维钙钛矿单晶A2Bn‑1CnX3n+1,其中A是苄胺、苯乙基胺、C4H9NH3、C4H12N2、C3H7NH3或C8H12N中的一种或几种,B是CH3NH3、CH(NH2)2、Cs或Rb中的一种或几种,C是Pb、Sn或Ge中的一种或几种,X是Cl、Br或I,n在1~3之间。本发明降低了暗电流,提高了载流子迁移率、寿命和核辐射探测器的灵敏度,可用于核工业领域的环境监测。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供