一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910216980.1
IPC分类号：G02B5/00;G02F1/01
申请日期：
2019-03-21
申请人：
中国科学院微电子研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置和方法
申请号	CN201910216980.1	申请日期	2019-03-21
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-29	公开/公告号	CN111722310A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02B5/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02B 光学元件、系统或仪器（G02F优先；专用于照明装置或系统的光学元件入F21V 1/00至F21V 13/00；测量仪器见G01类的有关小类，例如，光学测距仪入G01C；光学元件、系统或仪器的测试入G01M 11/00；眼镜入G02C；摄影、放映或观看用的装置或设备入G03B；声透镜入G10K 11/30；电子和离子“光学”入H01J；X射线“光学”入H01J，H05G 1/00；结构上与放电管相组合的光学元件入H01J 5/16，H01J 29/89，H01J 37/22；微波“光学”入H01Q；光学元件与电视接收机的组合装置入H04N 5/72；彩色电视系统中的光学系统或装置入H04N 9/00；专门适用于透明或反射区的加热装置入H05B 3/84）〔1，7〕 G02B5/00 除透镜外的光学元件（光波导入G02B 6/00；光学逻辑元件入G02F 3/00）〔4〕	IPC分类号	G;0;2;B;5;/;0;0;;;G;0;2;F;1;/;0;1查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	韩春蕊;叶剑挺;齐月静;王宇
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	任岩

摘要

本发明公开了一种调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置和方法，该装置包括一高导电材料衬底；在高导电材料衬底上形成的一绝缘层；在绝缘层上形成的一二维晶体单层；在二维晶体单层上形成的一透光介质层；以及在透光介质层上形成的具有周期性单元结构的金属纳米超材料。本发明基于金属表面等离激元共振原理，利用金属纳米超材料各向异性共振场调控半导体荧光场，实现偏振荧光并达到偏振可调的目的。本发明调制二维晶体禁带荧光偏振性的装置和方法，有效拓宽了二维晶体禁带荧光的线性可调范围和温度适用范围。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供