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平面肖特基势垒二极管

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510946666.0
  • IPC分类号:H01L29/73
  • 申请日期:
    2015-12-17
  • 申请人:
    扬州国宇电子有限公司
著录项信息
专利名称平面肖特基势垒二极管
申请号CN201510946666.0申请日期2015-12-17
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2016-05-04公开/公告号CN105552119A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/73
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3查看分类表>
申请人扬州国宇电子有限公司申请人地址
江苏省扬州市经济技术开发区吴州东路188号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人扬州国宇电子有限公司当前权利人扬州国宇电子有限公司
发明人马文力;杨勇;谭德喜;姚伟明;付国振
代理机构苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司代理人胡思棉
摘要
一种平面肖特基势垒二极管,包括N型重掺杂硅衬底、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂环区、薄氧化层、场氧化层、肖特基势垒层、多层金属层;其特征在于在P型重掺杂环区外侧的N型轻掺杂外延层中设置有P型轻掺杂环区,薄氧化层位于P型重掺杂环区和P型轻掺杂环区上面,场氧化层位于部分P型轻掺杂环区上方及其外侧的N型轻掺杂外延层上方,肖特基势垒层形成于在部分P型重掺杂环区上面及N型轻掺杂外延层上面。本发明二极管可有效提高P型重掺杂环区的耐压效率,进而可以通过降低P型重掺杂环区的结深,进一步增强肖特基势垒区的表面电场,从而提高平面肖特基势垒的抗雷击能力,并能够降低正向导通压降、提高正向浪涌能力。

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