制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710064384.3
IPC分类号：H01S5/024
申请日期：
2007-03-14
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法
申请号	CN200710064384.3	申请日期	2007-03-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-09-17	公开/公告号	CN101267087
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/024 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/02 基本上不涉及激光作用的结构零件或组件〔7〕 H01S5/024 冷却装置〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;2;4查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	张书明;刘宗顺;杨辉
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上蒸镀一层绝缘介质膜；步骤3：用光刻和腐蚀的方法将部分绝缘介质膜去掉，以用于制作激光器倒装的P型焊接电极；步骤4：在保留有绝缘介质膜的区域和去掉绝缘介质膜的区域蒸镀金属层；步骤5：在金属层的区域接着蒸镀金属焊料层，这层金属焊料层不是完全覆盖下面的金属层，而是留出部分区域用于激光器管芯倒装后电极引线的连接；步骤6：将样片分割成单个氮化镓基激光器倒装用的热沉。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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