3D闪存中阈值电压的调整方法、系统以及3D闪存

发明专利有效专利

申请号：
CN201910469101.6
IPC分类号：G11C5/14;G11C16/08;G11C16/26
申请日期：
2019-05-31
申请人：
深圳市得一微电子有限责任公司

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著录项信息

专利名称	3D闪存中阈值电压的调整方法、系统以及3D闪存
申请号	CN201910469101.6	申请日期	2019-05-31
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2019-10-11	公开/公告号	CN110322907A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C5/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C5/00 包括在G11C 11/00组中的存储器零部件 G11C5/14 电源装置（用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193；一般入G05F，H02J，H02M）〔5，7〕	IPC分类号	G;1;1;C;5;/;1;4;;;G;1;1;C;1;6;/;0;8;;;G;1;1;C;1;6;/;2;6查看分类表>
申请人	深圳市得一微电子有限责任公司	申请人地址	广东省深圳市南山区粤海街道科技园南十二路18号长虹科技大厦6楼09-2、10-11单元变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	薛春,得一微电子股份有限公司	当前权利人	薛春,得一微电子股份有限公司
发明人	薛春;李乔;石亮;李晓明;吴大畏
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种3D闪存中阈值电压的调整方法、系统以及3D闪存，涉及闪存数据读取技术领域。其调整方法的技术要点包括在闪存块内预留部分的存储元作为核对存储元；在核对存储元上写入指定的核对数据；读取核对存储元上核对数据，作为读出数据；比较核对数据和读出数据，获得存储元的检测集合；基于比对检测集合，在七个阈值电压中选出问题阈值电压；并基于计算检测集合，修改问题阈值电压，本发明具有调节阈值电压准确的优点。

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