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透明介质基片微带电路湿法刻蚀过程终点的检验方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510725564.6
  • IPC分类号:H01L21/66
  • 申请日期:
    2015-10-29
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第四十一研究所
著录项信息
专利名称透明介质基片微带电路湿法刻蚀过程终点的检验方法
申请号CN201510725564.6申请日期2015-10-29
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2016-02-03公开/公告号CN105304518A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/66IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第四十一研究所申请人地址
山东省青岛市经济技术开发区香江路98号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第四十一研究所当前权利人中国电子科技集团公司第四十一研究所
发明人曹乾涛;赵海轮;冯见龙
代理机构济南舜源专利事务所有限公司代理人朱玉建
摘要
本发明公开了一种透明介质基片微带电路湿法刻蚀过程终点的检验方法。该检验方法包括如下步骤:提供两个透明介质基片,一个用作试验片,另一个用作工件;对试验片和工件的正面使用相同工艺沉积一定厚度的材料层,在工件的背面沉积一定厚度的材料层,并在工件的背面留有非沉积材料层区;在试验片上定义刻蚀图形并完成湿法刻蚀,形成刻蚀工艺条件,然后将在试验片上形成的刻蚀工艺条件微调处理后应用于工件正面的材料层湿法刻蚀,在工件上形成刻蚀图形,通过直观观察工件的非沉积材料层区及其对应的工件正面区域,判断工件上刻蚀图形的底部是否裸露出工件,由此得出工件正面的材料层湿法刻蚀的终点是否到位。本发明方法利于提高电路产品的良品率。

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